摘要

本文介紹新型的MOSFET逆變模塊，用于驅(qū)動風(fēng)扇和水泵中的小型直流無刷電機(jī)。這種功率模塊集成了6個(gè)MOSFET和相應(yīng)的高壓柵極驅(qū)動電路(HVIC)。通過使用專門設(shè)計(jì)的MOSFET和HVIC，該模塊能提供最小的功耗和最佳的電磁兼容(EMC)特性。本文將探討這種逆變模塊在電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中所涉及的封裝設(shè)計(jì)、MOSFET和HVIC，并著重討論其中的功率損耗、電磁干擾和噪聲問題。

電氣設(shè)計(jì)

對于小型電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)，MOSFET在功耗、成本和性能方面較其它功率開關(guān)管更具優(yōu)勢。MOSFET的正向特征電阻為歐姆級(見圖1(a));其導(dǎo)通損耗與漏極電流的平方成正比，當(dāng)漏極電流低于1A時(shí)，其導(dǎo)通損耗低于額定功率相同的IGBT的導(dǎo)通損耗，這是因?yàn)镮GBT在通態(tài)時(shí)存在閾值電壓，該電壓隨逆變輸出功率的下降而顯著增加。大多數(shù)空調(diào)使用的風(fēng)扇電機(jī)功率在50W以下；在這個(gè)功率級別上，基于MOSFET的逆變器的效率高于IGBT。

至于其反向特性(參見圖1(a))，MOSFET中固有的體二極管可充當(dāng)IGBT逆變器中的快速恢復(fù)二極管(FRD);即可以通過電子擴(kuò)散過程實(shí)現(xiàn)快速而平滑的恢復(fù)特性，同時(shí)節(jié)省了引線框內(nèi)芯片的占用空間。由于MOSFET比一般FRD尺寸大，其反向壓降小，而且在柵極為高時(shí)，該壓降甚至?xí)。@是因?yàn)镸OSFET溝道本身就允許雙向電流。MOSFET的另一個(gè)優(yōu)勢是其耐用強(qiáng)度。它比IGBT的耐用強(qiáng)度高；與額定功率相同的其它器件相比，具有更寬的安全運(yùn)行區(qū)(SOA)。本文所介紹逆變模塊中的MOSFET在典型的運(yùn)行條件(Vcc=15V,Vdc="300V",Tc="25"℃)下，都能承受80ms的短路電流(見圖2)。而且，在出現(xiàn)電涌時(shí)，基于MOSFET逆變器的抵御能力優(yōu)于額定電壓相同的IGBT方案，這已被開關(guān)器件的雪崩額定電壓值所證實(shí)。因此，在220V下可采用額定電壓為500V的MOSFET，而在相同條件下采用IGBT，其額定電壓則需要達(dá)到600V。但是，傳統(tǒng)的MOSFET開關(guān)速度極高。MOSFET通常用于快速開關(guān)轉(zhuǎn)換器，如AC/DC或DC/DC電源，這些應(yīng)用場合要求柵極電荷Qg盡可能少，以降低開關(guān)損耗。不過，在電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中，這種快速特性沒有用處，尤其是高的dV/dt值還會引起電磁干擾。穩(wěn)定性與最佳性能不易兼顧。

通常，增加?xùn)艠O阻抗會降低MOSFET的開關(guān)速度。在如圖3(a)所示的半橋電路中，如果高壓側(cè)MOSFET的柵極阻抗(在HVIC中實(shí)現(xiàn))大，將會存在一定的短路電流；這個(gè)電流是上面那個(gè)MOSFET導(dǎo)通時(shí)的密勒電容Cgd感應(yīng)產(chǎn)生的，不嚴(yán)重時(shí)一般不會察覺。但是，正如圖3(b)所示，這種異常行為會增加逆變開關(guān)的損耗(導(dǎo)通損耗)，并最終減弱系統(tǒng)的額定功率和穩(wěn)定性。在這樣的瞬態(tài)過程中，要降低開關(guān)速度，同時(shí)又不失穩(wěn)定性，上方那個(gè)MOSFET的Vgs應(yīng)小于閾值電壓Vth。換句話說，最好通過調(diào)節(jié)HVIC的關(guān)斷阻抗來保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性，防止因電壓變化而感應(yīng)短路電流。但這會增加MOSFET的關(guān)斷dV/dt值。

除了穩(wěn)定性外，在確定柵極電阻時(shí)，還應(yīng)考慮空載時(shí)間和延遲時(shí)間之類的運(yùn)行要求。電壓源逆變器的空載時(shí)間會降低輸出電壓的質(zhì)量，進(jìn)而降低電機(jī)的轉(zhuǎn)速性能。而且，這個(gè)問題會隨開關(guān)頻率的增大而進(jìn)一步惡化。消費(fèi)電子應(yīng)用中的開關(guān)頻率一般在16kHz以上，這是為了防止可聽見音頻帶(人耳可聽到的頻帶)噪聲；系統(tǒng)開發(fā)人員一般都希望將系統(tǒng)的空載時(shí)間設(shè)計(jì)為1ms。1ms的理論極限(控制器可設(shè)置的最小值)可由公式(1)計(jì)算。

Tdead=max(Toff,LS-Td(on),HS,Toff,HS-Td(on),LS)(1)

這里，Td(on)為導(dǎo)通時(shí)的傳送延遲(從輸入信號脈沖的50%起到電流達(dá)到穩(wěn)定所需的時(shí)間);Toff為關(guān)斷時(shí)的傳送延遲(從輸出信號脈沖的50%起到整流換向完畢所需的時(shí)間)。下標(biāo)HS和LS分別表示高壓側(cè)和低壓側(cè)MOSFET。要滿足空載時(shí)間要求，可延長Td(on)，即增加導(dǎo)通柵極電阻。但這種方法不適用于通過檢測直流通道電流來測量三相電流的系統(tǒng)，因?yàn)檫@種系統(tǒng)的一個(gè)關(guān)鍵要求是導(dǎo)通延遲要小。當(dāng)輸出脈沖寬度小于功率器件的導(dǎo)通延遲時(shí)，不能用電流檢測技術(shù)來測量逆變器的輸出電流。增大導(dǎo)通延遲會增加電流檢測的不確定性，尤其是在調(diào)制指數(shù)小的低速運(yùn)行情況下。因此，增加導(dǎo)通延遲雖能縮短空載時(shí)間，但卻會減弱電機(jī)的低速性能。

上述問題不能通過調(diào)節(jié)某一時(shí)刻的柵極電阻來解決。為了獲得最佳的性能(最佳空載時(shí)間、最佳延遲時(shí)間)，同時(shí)又保持穩(wěn)定性(防止dV/dt感應(yīng)出短路電流)，必須針對電機(jī)定制MOSFET。除調(diào)節(jié)柵極電阻外，還需要優(yōu)選MOSFET的Qg和Vth。在本文介紹的逆變模塊中，MOSFET的Qg比值(即Qgd/Qgs)被設(shè)置為2.0左右，以防止在最壞的情況下出現(xiàn)短路電流。根據(jù)這個(gè)電荷值確定出適合的柵極電阻范圍。功率MOSFET的延遲時(shí)間是Vth的對數(shù)函數(shù)。因此，Vth的變化范圍對確定最壞情況的延遲時(shí)間和空載時(shí)間有很大作用。在滿足這些要求的同時(shí)，輸出電壓變化(dV/dt)應(yīng)當(dāng)小，以降低電磁干擾。圖1(a)和(b)所示的開關(guān)特性是滿足如下條件時(shí)測試的結(jié)果：dV/dt=2kV/ms，空載時(shí)間=1.0ms，導(dǎo)通延遲時(shí)間=2.5ms(延遲時(shí)間是在最壞的運(yùn)行情況下，并考慮柵極電阻和其它器件參數(shù)的離差后，從輸入信號脈沖中心到建立電流穩(wěn)定所需的時(shí)間)。我們已通過適當(dāng)選擇柵極導(dǎo)通電阻和閾值電壓達(dá)到了這些條件。

除了這些可預(yù)先確定的特性外，用戶還可控制模塊的開關(guān)速度。象其它SPM系列一樣，本文介紹的這種模塊在高壓側(cè)MOSFET上提供開放源極輸入端，允許用戶加入自己的阻抗單元來控制高壓側(cè)MOSFET的開關(guān)速度，從而在開關(guān)損耗與電磁干擾之間作出最佳平衡。