射頻（RF）和微波放大器在特定偏置條件下可提供最佳性能。偏置點所確定的靜態電流會影響線性度和效率等關健性能指標。雖然某些放大器是自偏置，但許多器件需要外部偏置并使用多個電源，這些電源的時序需要加以適當控制以使器件安全工作。

接下來，我們主要來說說偏置時序控制要求。

電源時序控制

使用外部偏置放大器時，電源時序控制非常重要，原因如下：

1.不遵守正確的電源時序會影響器件的穩定性。超過擊穿電壓可能會導致器件立即失效。當超過邊界條件的狀況多次發生且系統承受壓力時，長期可靠性會降低。此外，連續違反時序控制模式會損壞片內保護電路并產生長期損害，導致現場操作故障。

2.不僅在上電和掉電期間，而且在常規工作期間優化偏置電平，可以改善射頻放大器的性能，具體情況取決于配置和應用要求。對于某些應用，可以改變放大器的射頻性能以適應不同的現場情況。例如，在雨天可以提高輸出功率以擴寬覆蓋范圍，在晴天可以降低輸出功率。放大器的外部柵壓控制可以實現這些功能。

ADI擁有各種各樣的射頻放大器，許多射頻放大器是基于耗盡型高電子遷移率（pHEMT）技術。該工藝中使用的晶體管通常需要電源來為漏極引腳和柵極引腳供電。此靜態漏極電流與柵極電壓相關。

典型場效應晶體管(FET)工藝的典型IV特性參見圖1。

圖1.典型FET工藝的典型IV特性

隨著柵源電壓(VGS)提高，更多電子進入溝道，產生更高的漏源電流(IDS)。

另外，隨著漏源電壓(VDS)提高，拉動電子的電場力會變得更大，因而漏源電流也會增大（在線性區間中）。

在實際放大器中，由于溝道長度調制等效應，可將這些放大器大致歸為兩類：自偏置放大器和外部偏置放大器。

自偏置放大器

自偏置放大器有一個內部電路用來設置適合工作的最佳偏置點。這些放大器通常最適合寬帶低功耗應用。自偏置放大器的典型引腳排列參見圖2。

圖2.帶多個偏置引腳的多級自偏置放大器的典型引腳排列

自偏置放大器雖然容易使用，但可能無法提供最佳性能，因為內部阻性偏置電路無法充分補償批次、器件和溫度差異。

外部偏置放大器

在特定偏置條件下，外部偏置放大器提供的性能往往高于自偏置放大器。放大器的靜態漏極電流會影響功率壓縮點、增益、噪聲系數、交調產物和效率等參數。對于這些高性能外部偏置放大器，正確的電源時序控制對于確保器件以最佳性能安全工作至關重要。

圖3顯示了外部偏置放大器引腳和對應晶體管引腳的典型連接。圖3中的引腳映射是放大器的簡化示意圖。

圖3.外部偏置放大器的典型連接

此外，許多外部偏置放大器通過多級來滿足增益、帶寬和功率等要求。圖4所示為多級外部偏置放大器HMC1131的典型框圖。

圖4.HMC1131多級外部偏置放大器

舉個栗子：外部偏置放大器的時序和控制要求

HMC1131是一款砷化鎵(GaAs)、pHEMT單片微波集成電路(MMIC)中功率放大器。工作頻率范圍為24GHz至35GHz。該4級設計提供的典型性能為22dB增益、23dBm輸出功率（1dB壓縮，即p1dB）和27dBm飽和輸出功率(pSAT)，對應的偏置條件為VDD=5V且IDQ=225mA，其中VDD為漏極偏置電壓，IDQ為靜態漏極電流。HMC1131數據手冊中針對24GHz至27GHz頻率范圍的電氣規格表給出了此信息。圖4顯示了HMC1131的引腳連接。

為了實現225mA的目標靜態漏極電流(IDQ)，應將柵極偏置引腳電壓（VGG1和VGG2）設置在0V到−2V之間。要設置該負電壓而不損壞放大器，上電和掉電期間應遵守建議的偏置序列。

下面是HMC1131上電期間的建議偏置序列：

連接到地將VGG1和VGG2設置為−2V將漏極電壓偏置引腳VDD1至VDD4設置為5V提高VGG1和VGG2以實現225mA的IDQ施加射頻信號

下面是HMC1131掉電期間的建議偏置序列：

關閉射頻信號降低VGG1和VGG2至−2V以實現大約0mA的IDQ將VDD1至VDD4降低到0V將VGG1和VGG2提高到0V

當柵極電壓(VGGx)為−2V時，晶體管會被夾斷。因此，IDQ典型值接近0。

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