晶膠電池-晶膠電池的原理

硅是集成電路產業的基礎，半導體材料中98％是硅，半導體硅工業產品包括多晶硅、單晶硅（直拉和區熔）、外延片和非晶硅等，其中，直拉硅單晶廣泛應用于集成電路和中小功率器件。區域熔單晶目前重要用于大功率半導體器件，比如整流二極管，硅可控整流器，大功率晶體管等。單晶硅和多晶硅應用最廣。中彰國際（SINOSI）是一家致力于頂端科技、開拓創新的公司。中彰國際（SINOSI）能夠規模生產和大批量供應單晶硅、多晶硅及Φ4〃-Φ6〃直拉拋光片、Φ3〃-Φ6〃直拉磨片和區熔NTD磨片并且可以按照國內、外客戶的要求供應非標產品。

晶膠電池-單晶硅單晶硅重要有直拉和區熔區熔（NTD）單晶硅可生產直徑范圍為：Φ1.5〃-Φ4〃。直拉單晶硅可生產直徑范圍為：Φ2〃-Φ8〃。各項參數可按客戶要求生產。多晶硅

區熔用多晶硅可生產直徑Φ40mm－Φ70mm。直徑公差(Tolerance)≤10%，施主水平＞300.㎝，受主水平＞3000.㎝，碳含量＜2×1016at/㎝3。各項參數可按客戶要求生產。切磨片切磨片可生產直徑范圍為：Φ1.5〃-Φ6〃。厚度公差、總厚度公差、翹曲度、電阻率等參數符合并優于國家現行標準，并可按客戶要求生產。

區熔（NTD）單晶硅可生產直徑范圍為：Φ1.5〃-Φ4〃。直拉單晶硅可生產直徑范圍為：Φ2〃-Φ8〃。硅單晶被稱為現代信息社會的基石。硅單晶按照制備工藝的不同可分為直拉（CZ）單晶硅和區熔（FZ）單晶硅，直拉單晶硅被廣泛應用于微電子領域，微電子技術的飛速發展，使人類社會進入了信息化時代，被稱為硅片引起的第一次革命。區熔單晶硅是用懸浮區熔技術制備的單晶硅。它的用途重要包括以下幾個方面。1、制作電力電子器件電力電子技術是實現電力管理，提高電功效率的關鍵技術。飛速發展的電力電子被稱為硅片引起的第二次革命，大多數電力電子器件是用區熔單晶硅制作的。電力電子器件包括普通晶閘管(SCR)、電力晶體管GTR、GTO以及第三代新型電力電子器件功率場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(pIC)等，廣泛應用于高壓直流輸電、靜止無功補償、電力機車牽引、交直流電力傳動、電解、勵磁、電加熱、高性能交直流電源等電力系統和電氣工程中。制作電力電子器件，是區熔單晶硅的傳統市場，也是本項目產品的市場基礎。

2、制作高效率太陽能光伏電池太陽能目前已經成為最受關注的綠色能源產業。美國、歐洲、日本都制定了大力促進本國太陽能產業發展的政策，我國也于2005年三月份通過了《可再生能源法》。這些措施極大地促進了太陽能電池產業的發展。據統計，從19982004年，國際太陽能光伏電池的市場一直保持高速上升的態勢，年平均上升速度達到30%，預計到2010年，仍將保持至少25%的上升速度。