器件專門用于標準柵極驅動電路，柵極電荷低至22.5nC，QOSS為34.2nC，采用powerpAK?1212-8S封裝。

賓夕法尼亞、MALVERN—2019年8月12日—日前，VishayIntertechnology，Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出新款60VTrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件，10V條件下最大導通電阻降至4mW，采用熱增強型3.3mmx3.3mmpowerpAK?1212-8S封裝。VishaySiliconixSiSS22DN專門用于提高功率轉換拓撲結構的效率和功率密度，柵極電荷僅為22.5nC，同時具有低輸出電荷（QOSS）。

與邏輯電平60V器件不同，SiSS22DN提高了典型VGS（th）和Miller（米勒）平臺電壓，適用于柵極驅動電壓高于6V的電路，器件最佳動態特性縮短死區時間，防止同步整流應用發生擊穿。SiSS22DN業內低導通電阻比排名第二的產品低4.8%—與領先的邏輯電平器件不相上下—QOSS為34.2nC，QOSS與導通電阻乘積，即零電壓開關（ZVS）或開關柜拓撲結構功率轉換設計中，MOSFET的重要優值系數（FOM）達到最佳水平。為實現更高功率密度，器件比6mmx5mm封裝類似解決方案節省65%的pCB空間。

SiSS22DN改進了技術規格，經過調校最大限度降低導通和開關損耗，多電源管理系統構件可實現更高效率，包括AC/DC和DC/DC拓撲結構同步整流、DC/DC轉換器主邊開關、降壓-升壓轉換器半橋MOSFET功率級，以及通信和服務器電源OR-ing功能、電動工具和工業設備電機驅動控制和電路保護、電池管理模塊的電池保護和充電。

MOSFET經過100%RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。

SiSS22DN現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為30周，視市場情況而定。